专利名称：用于半导体晶棒拉晶的区熔炉专利类型：实用新型专利发明人：阮秀清,阮秀沧申请号：CN202021334538.3申请日：20200709公开号：CN212771039U公开日：20210323
摘要：本发明提供了一种用于半导体晶棒拉晶的区熔炉，包括：固定组件，用于将密封有半导体晶棒(16)的石英管(15)竖直悬空固定；环形的加热组件(14)，其设置有一让所述石英管(15)穿过的通孔(141)，所述加热组件(14)沿垂直方向的加热厚度为25±3mm；传动组件，用于在所述加热组件(14)工作时带动所述加热组件(14)从所述石英管(15)的底部匀速上升到顶部。
申请人：泉州市依科达半导体致冷科技有限公司
地址：362100 福建省泉州市经济技术开发区孵化基地科技工业楼二楼A区
国籍：CN
代理机构：厦门原创专利事务所(普通合伙)
代理人：黄一敏
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