内存时序参数
发布网友
发布时间：2022-04-20 04:51
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热心网友
时间：2023-06-27 04:29
一般数字“A-B-C-D”分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”，它们的含义依次为：CAS Latency（简称CL值）内存CAS延迟时间，它是内存的重要参数之一，某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上; RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间; RAS Precharge Delay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间; Row Active Delay（tRAS），内存行地址选通延迟。这是玩家最关注的4项时序调节，在大部分主板的BIOS中可以设定，内存模组厂商也有计划的推出了低于JEDEC认证标准的低延迟型超频内存模组，在同样频率设定下，最低“2-2-2-5”这种序列时序的内存模组确实能够带来比“3-4-4-8”更高的内存性能，幅度在3至5个百分点。
热心网友
时间：2023-06-27 04:30
内存的时序参数一般简写为2/2/2/6-11/1T的格式，分别代表CAS/tRCD/tRP/tRAS/CMD的值
CAS意为列地址选通脉冲
tRCD行地址选通脉冲
tRP指行预充电时间
tRAS行有效至行预充电时间
CMD首命令延迟
