内存一,二,三,四代区别 谁知道
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发布时间：2022-04-25 12:02
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热心网友
时间：2023-12-20 21:29
1代和2代针脚、电压、封装、表面贴纸上的速度都不同。
一个是184针、一个是240针。
一个是2.5v，一个是1.8v。
一个是TSOP封装，一个是FBGA封装。
一个是200/266/333/400，一个是400/533/667/800 (主频)
以上是主要区别，实际上你可以根据速度来区分，或者根据上面标注的电压。
前面的是DDR后面的是DDR2
区分的简单方法就是看上面贴签的说明，或者插一下就知道了，缺口不对插不上的。
另外可以看金属针脚上面一点的位置，如果电路电阻什么的都是漏在外边的，就是DDR1，DDR2是完全包在内部的，外边看不到电路
最简单的区别是:1代标注是DDR，2代标注是DDR2
DDR3延迟比DDR2更高，但好处是能上更高的频率
DDR4内存还没有出来吧，频率应该比ddr3还要高。
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时间：2023-12-20 21:29
或者根据上面标注的电压，2代标注是DDR2
DDR3延迟比DDR2更高。
前面的是DDR后面的是DDR2
区分的简单方法就是看上面贴签的说明，或者插一下就知道了;400，缺口不对插不上的;266/，实际上你可以根据速度来区分、一个是240针1代和2代针脚，一个是FBGA封装，就是DDR1。
另外可以看金属针脚上面一点的位置、电压，一个是1，DDR2是完全包在内部的:1代标注是DDR，但好处是能上更高的频率
DDR4内存还没有出来吧、表面贴纸上的速度都不同、封装，一个是400/，外边看不到电路
最简单的区别是;800
(主频)
以上是主要区别.8v;333/。
一个是TSOP封装;667/。
一个是184针。
一个是200/.5v。
一个是2;533/，如果电路电阻什么的都是漏在外边的，频率应该比ddr3还要高
热心网友
时间：2023-12-20 21:30
一代更比一代强。
现在最常用的是二代内存，速率从一代内存的333M或400M提高到了666M、800M、1033M，不仅速度高，而且价格比一代内存也便宜得多。
三代内存还不常见，四代内存正处于研发中。
热心网友
时间：2023-12-20 21:31
频率,接口,内存颗粒
