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非平衡载流子就是半导体中比热平衡时所多出的额外载流子。一般,往半导体内部注入的非平衡载流子是少数载流子(多数载流子较难以注入)。相反,从半导体内部抽出的载流子也是非平衡载流子,这也是少数载流子。
当有外加光照等的作用使得半导体中增加(注入)了非平衡载流子后,该半导体系统即处于非平衡状态;这种状态是不稳定的,如果去掉这些产生非平衡载流子的作用后,那么该系统就应当逐渐恢复到原来的(热)平衡状态。这就意味着,在去掉外加作用以后,半导体中的非平衡载流子将逐渐消亡(即非平衡载流子浓度衰减到0)。由于非平衡载流子的消亡主要是通过电子与空穴的相遇而成对消失的过程来完成的,所以往往就把非平衡载流子消亡的过程简称为载流子的复合。
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直接复合、间接复合、表面复合。